مشخصات پژوهش

عنوان	گیت دی الکتریک پلی ونیل/اکسید الومنیم برای نانو ترانزیستور های الی
نوع پژوهش	پایان نامه
کلیدواژه‌ها	نانو کامپوزیت،ترانزیستور اثر میدانی آلی،گیت دی الکتریک،روش سل-ژل، قابلیت حرکت
چکیده	چکیده: در این پژوهش، نمونه های نانوکامپوزیت هیبریدی Al2O3/PVP به روش سل-ژل در دمای 80 درجه سانتی گراد سنتز شده اند. درصد وزنی پلی وینیل فنول نسبت به اکسید آلومینیوم برابر صفر، 28/0، 56/0 و 84/0 بوده است. برای مطالعه ویژگی های نانو ساختاری و شناسایی پیوندهای شیمیایی، از تکنیک پراش پرتو ایکس (XRD) و طیف سنجی تبدیل فوریه مادون قرمز (FT-IR) استفاده شده است. مطالعه و بررسی توپوگرافی، ریخت شناسی سطح و اندازه نانوذرات با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و میکروسکوپی نیروی اتمی (AFM) انجام شده است. ثابت دی الکتریک نمونه ها نیز با استفاده از دستگاه GPS 132 A محاسبه گردید. در طیف FTIR تأثیر PVP به صورت کاهش شدت قلّه های جذبی شاخص مربوط به Al2O3 نمایان شده است. با افزایش مقدار PVP در مخلوط پودری، هیچ تغییری در فاز Al2O3 رخ نمی دهد، اما از روی الگوهای XRD، مشاهده می شود که شدت قله های مربوط به برخی فازها اندکی افزایش یافته و پهن شده است. با تحلیل الگوهای XRD در نرم افزار X-Powder مشخص شد که کوچک ترین اندازه نانوبلورک ها مربوط به نمونه ی با نسبت 28/0 درصد PVP و برابر با nm 36 می باشد. تحلیل های EDX به دست آمده از نانو هیبرید کامپوزیت ها وجود نانو ذرات C، Al و O را تأیید می کنند و همان گونه که انتظار می رود، با افزایش نسبت PVP نسبت وزنی کربن افزایش می یابد. تصاویر SEM از سطح تهیه شده توسط نمونه ها نیز نشان می دهند نمونه ای که در آن مقدار PVP برابر 28/0 درصد می باشد، دارای سطحی هموارتر با زبری کمتر است. زبری سطح دی الکتریک به وضوح به افزایش بی نظمی کمک کرده، رشد یکنواخت نیمه رسانا را تحت تأثیر قرار داده و به علت ایجاد بی نظمی در لایه انباشت، باعث کاهش قابلیت حرکت در نیمه رساناهای آلی و در نتیجه موجب کاهش رسانایی می گردد. پارامترهای زبری سطح به دست آمده از تصاویر AFM نمونه ها نیز برای نمونه ی با نسبت 28/0 درصد PVP دارای کم ترین مقدار است. هرچه سطح یکنواخت تر باشد و زبری کم تر یا پستی و بلندی کم تری داشته باشد، حرکت حامل های بار راحت تر صورت می گیرد در نتیجه قابلیت حرکت افزایش می یابد و جریان نشتی نیز کم می شود. برای مطالعه خواص الکتریکی نمونه ها، خازن هایی با نانو پودرهای نمونه ها ساخته شد و ظرفیت خازنی نمونه ها (C) با استفاده از دستگاه GPS 132 A اندازه گیری شد، سپس ثابت د
پژوهشگران	منوچهر بابائی پور (استاد راهنما)، سیدباقر سلطانی (دانشجو)، علی بهاری (استاد مشاور)