|
عنوان
|
مطالعه رسانش الکتریکی محدود توسط پراکندگی ناخالصی باردار در گرافن تک لایه
|
|
نوع پژوهش
|
پایان نامه
|
|
کلیدواژه‌ها
|
واژه های کلیدی: گرافن، اثر استتار، تابع پلاریزاسیون، رسانش الکتریکی، توزیع تصادفی یکنواخت، توزیع خوشه ای
|
|
چکیده
|
با بررسی نظریه ی ناخالصی های کولنی در گرافن مشاهده می شود که ناخالصی های کولنی از لحاظ کیفی رفتاری متفاوت با پراکنده کننده های بازه کوتاه، مانند نواقص نقطه ای و یا تهی- جاها دارند.. گمان می رود ناخالصی های موجود در سطح گرافن مسئول ایجاد گودال های الکترون _ حفره ی مشاهده شده در نزدیکی نقطه ی دیراک باشند. در نتیجه بسیار محتمل است که ناخالصی های باردار نزدیک به سطح گرافن، و زیرلایه به جای توزیع تصادفی، به صورت خوشه ای توزیع شده باشند. پراش ناخالصی باردار مسئول وابستگی خطی شناخته می شود. علاوه بر این حداقل رسانش غیر فراگیر (یا رسانش پسماند) در نزدیکی نقطه ی دیراک از حضور ناخالصی های باردار ناشی شده و تابعی از چگالی ناخالصی بارداراست. در این پژوهش ابتدا تابع پلاریزاسیون استاتیک در گرافن محاسبه شده و از آن برای مطالعه ی تأثیر ناخالصی باردار بر رسانش استفاده می شود. ابتدا اثر استتار را برای یک تک ناخالصی کولنی توصیف و اثر کلی چگالی میانگین را در گرافن در حضور تعداد زیادی از ناخالصی ها، بررسی می کنیم.
|
|
پژوهشگران
|
قاسم انصاری پور (استاد راهنما)، محمد بهرامی مقدس (دانشجو)
|