عنوان
|
بررسی خواص ساختاری و اپتیکی لایههای نازک اکسید ایندیم قلع
|
نوع پژوهش
|
مقاله چاپشده در مجلات علمی
|
کلیدواژهها
|
اکسید ایندیم قلع، لایههای نازک، بازتاب سنجی اشعه ایکس
|
چکیده
|
در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع ( )ITOبهروش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایههای شیشهای با ضخامتهای اسمی 375 ،355 ،05و 005نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 5/35نانومتر بر ثانیه لایهنشانی شدهاند. دمای زیرلایهها در خلال لایه نشانی در دمای 455درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیکهای پراش پرتو ایکس ( )XRDو بازتاب سنجی اشعه ایکس ( )XRRبرای آنالیز ساختاری لایههای نازک استفاده شده است. خواص اپتیکی لایهها با استفاده از طیف سنجی فرابنفش-مرئی در محدوده ( 135-855نانومتر) بررسی شد. همچنین آنالیز عنصری ماده با استفاده از دستگاه انرژی پراکندگی اشعه ایکس ()EDS انجام شد. برای آنالیز دادهها از نرم افزارهای GENX ،MATLABو XPOWDERاستفاده شدند. سپس ضخامت واقعی ( ،)nmچگالی الکترونی متوسط ( )e/Å3و ناهمواری ( )nmلایههای نازک ITOبهدست آمدند. مقادیر گاف انرژی برای ضخامتهای 375 ،355 ،05و nm 005بهترتیب 1/73 ،1/08 ، 1/47و eV 1/87بهدست آمدند. نتایج نشان میدهد که با افزایش ضخامت لایههای نازک اندازه متوسط بلورکها رشد کرده، تراگسیل اپتیکی، جذب و گاف انرژی لایههای نازک بهترتیب کاهش، افزایش، افزایش مییابد
|
پژوهشگران
|
احسان پارسیان پور (نفر اول)، مجتبی روستایی (نفر دوم)، جهانگیر جعفری رحمان (نفر سوم)، بهرام سهرابی (نفر چهارم)، فریدون سموات (نفر پنجم)
|