|
عنوان
|
شبیه سازی میدان دما و جریان شاره در رشد بلور Bi_4 Ge_3 O_12 به روش چُکرالسکی در سه ارتفاع مختلف بلور رشد یافته
|
|
نوع پژوهش
|
مقاله ارائه شده کنفرانسی
|
|
کلیدواژه‌ها
|
شبیه سازی، بلور Bi_4 Ge_3 O_12، روش چُکرالسکی
|
|
چکیده
|
در این مقاله میدان های دمایی و جریان های شاره ای در یک سیستم رشد بلور 〖Bi〗_4 〖Ge〗_3 O_12 به روش چُکرالسکی با گرادیان دمای پایین و گرم کننده مقاومتی برای بلور با ارتفاع های cm 1، cm 3 و cm 5 شبیه سازی شده است. پیکربندی کوره رشد بلور استفاده شده در این شبیه سازی مطابق با یک کوره واقعی در آزمایشگاه است. در این مقاله شکل فصل مشترک مذاب- بلور نیز مطالعه شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد کیفیت بلور رشد یافته در ارتفاع های مختلف تفاوت دارد.
|
|
پژوهشگران
|
شیرین امید (نفر اول)، محمد حسین توکلی (نفر دوم)، خیراله محمدی (نفر سوم)
|