|
چکیده
|
در این مقاله میدان های دما و جریان های شاره در یک سیستم رشد بلور Bi_4 Ge_3 O_12 به روش چُکرالسکی با گرادیان دمای پایین و گرم کننده مقاومتی شبیه سازی شده است. در ساختار این کوره عایق هایی برای کنترل گرادیان دما و انتقال حرارت تابشی به کار برده شده است. محاسبات در دو حالت قبل و بعد از وارد کردن سیم پلاتینی در مذاب انجام شده است. نتایج شبیه سازی تاثیر گرادیان دمای پایین و عایق ها را در توزیع دما و جریان های شاره سیستم رشد نشان می دهد.
|