|
عنوان
|
برسی ویژگی های ساختاری و الکتریکی نانو کامپوزیتهای دو رگهای Al2O3/PVP
|
|
نوع پژوهش
|
مقاله چاپ‌شده در مجلات علمی
|
|
کلیدواژه‌ها
|
ریز نهشته،ترانزیستور اثز میدان آلی،درگاه دی الکتریک
|
|
چکیده
|
نمونهای پودری نانو کامپوزیت دورگه ای Al2O3/PVP به روش سل-ژل در دمای 80 درجه سانتی گراد سنتز شده اند. درصد وزنی پلی وینیل فنول و اکسید آلومنیم بربر 28/. و 56/. و 84/. درصد بودهاست. برای برسی ویژگی های نانو ساختاری تز روش فرا پرشی پرتو X بیناب سنجی تبدیل فوریه فرو سرخ میکروسکوپ الکترونی روبشی و میکروسکوپ نیروی اتمی استفاده شده است. ثابت دی الکتریک نمو نه ها با استفاده از روش GPS132A محاسبه شدند. بر پایه نتایج بدست آمده بالاترین مقدار ثابت دی الکتریک در بسامد 120 کیلو هرتز وابسته به نمو نه ریز نهشته با ترکیب وزنی 28/. درصد از PVP و در بسامد 1 کیلو هرتز وابسته به ریز نهشته با ترکیب وزنی 56/. درصد از PVP است. بنا بر این در فرکانس 120 کیلو هرتز نمونه ریز نهشته با ترکیب وزنی 28/. درصد از PVP به سبب بر خورداری از ضخامت معادل اکسیدی بالاتر میزان زبری کمتر و خواص اهمی بهتر و کوچکی اندازه ریز بلورکها و ثابت دی الکتریک بالاتر و در نتیجه جریان نشتی کمتر به عنوان درگاه دی الکترک در ترانزیستورهای اثر میدانی توصیه می شوند.
|
|
پژوهشگران
|
سیدباقر سلطانی (نفر اول)، منوچهر بابائی پور (نفر دوم)، علی بهاری (نفر سوم)
|