|
عنوان
|
بررسی استتار گازالکترونی درنانو سیم GaAs با روکش دی الکتریک
|
|
نوع پژوهش
|
مقاله ارائه شده کنفرانسی
|
|
کلیدواژه‌ها
|
تابع استتار، نانوسیم، محیط دی الکتریک، گازالکترونی
|
|
چکیده
|
با استفاده از یک مدل سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی،تابع استتار گاز الکترونی یک نانوسیم گالیم آرسنید پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک را محاسبه کرده ایم. نشان داده ایم تابع استتار ایستا با بردارموج q=2kf، در دمای صفر دارای یک تکینگی لگاریتمی است. بنابراین تابع استتار در دماهای محدود رابااستفاده از روش مالداگوئه بدست آورده و از طریق آن نشان می دهیم هنگامی که نانوسیم با محیطی باثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیمرسانا) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاددرون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالیکه در محیطی با ثابت دی الکتریک کوچک(کوچکتر از ثابت دی الکتریک نیمرسانا) قدرت تابع استتار افزایش می یابد.
|
|
پژوهشگران
|
قاسم انصاری پور (نفر اول)، بهاره شایقی (نفر دوم)
|