فخرالدین صالحی

در این پژوهش مدل سازی سینتیک خشک شدن سیب در یک خشک کن ترکیبی فروسرخ-خلاء بررسی شد. تأثیر توان لامپ پرتودهی در سه سطح 200، 250 و 300 وات و فشار آون خلاء در سه سطح 5، 15 و 25 کیلوپاسکال بر زمان خشک شدن و ضریب نفوذ رطوبت در طی فرآیند خشک شدن سیب بررسی شد. نتایج نشان داد تأثیر توان لامپ پرتودهی و فشار بر فرآیند خشک شدن سیب معنی دار بود (p<0.05). با افزایش توان لامپ فروسرخ از 200 به 300 وات زمان خشک شدن سیب 57/28 درصد کاهش یافت. کاهش فشار آون خلاء از 25 به 5 کیلوپاسکال باعث کاهش 81/23 درصدی در زمان خشک کردن شد. اثر توان حرارتی فروسرخ و فشار آون خلاء بر تغییرات ضریب نفوذ مؤثر سیب بررسی و نشان داد که با افزایش توان منبع حرارتی و کاهش فشار مقدار ضریب نفوذ مؤثر افزایش می یابد. ضریب نفوذ مؤثر رطوبت سیب بین 9-10×42/1 تا 9-10×63/3 مترمربع بر ثانیه محاسبه شد. در مدل سازی فرآیند خشک کردن سیب مدل پیج نسبت به سایر مدل‎ها با بزرگ ترین مقدار ضریب تعیین (R2) و کوچک ترین خطا، نتایج نزدیک‎تری به داده های آزمایش را داشت.