لایه های نازک اکسیدهای رسانای شـفاف بـه علـت داشـتن شـفافیت اپتیکی بالا در ناحیه مرئی و رسانندگی الکتریکی مطلوب کاربردهای گسترده ای در وسایل الکترونیک نوری دارند. در این بین ایندیوم اکسید قلع (ITO) به علت مشخصه های منحصربفرد مذکور و نیز چسبندگی زیاد به زیرلایه از پرکاربردترین آن ها به شمار می آید. در این تحقیق لایه های نازک اکسید ایندیوم قلع به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه شیشه ای در دمای oC 100 تهیه و سپس در دمای 300، 400 و oC 500 به مدت دو ساعت بازپخت شدند. به منظور بررسی ساختار بلوری نمونه مورد نظر از تکنیک پراش سنجی پرتو X (XRD) و برای شناسایی عناصر موجود در ساختار نمونه از آنالیز پراکندگی انرژی اشعه X (EDX) استفاده شد. همچنین، با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی(AFM) مورفولوژی سطح بررسی شد.
