در این مقاله ترانزیستور تونل زنی عمودی مبتنی بر ژرمانیوم بررسی شده است. ویژگی های الکتریکی ترانزیستور در دو حالت استفاده از ژرمانیوم و همچنین استفاده از گالیوم آرسناید به عنوان کانال مقایسه شده و شبیه سازی آن توسط نرم‌افزار سیلواکو و با استفاده از مدل تونل زنی غیر محلی انجام شده است. نتایج نشان می‌دهد که جریان روشنایی بیشتر، جریان خاموشی کمتر و جریان دوقطبی درین کمتر در ولتاژ گیت منفی از مزایای استفاده از گالیوم آرسناید به جای ژرمانیوم به عنوان کانال است. در ادامه، پارامترهای کانال تغییر داده شده‌اند و اثر تغییر آن‌ها بر روی رفتار ترانزیستور مطالعه شده است. افزایش طول کانال باعث کاهش جریان خاموشی و افزایش نسبت جریان روشنایی به خاموشی شده و همچنین باعث کاهش شیب زیرآستانه می شود. از طرف دیگر، افزایش عرض کانال، باعث کاهش نسبت جریان روشنایی به خاموشی و افزایش شیب زیرآستانه می‌شود. نسبت جریان روشنایی به خاموشی با افزایش طول کانال و کاهش عرض کانال افزایش می یابد و این نسبت می تواند تا 15+10×5/1 افزایش پیدا کند.
