در این پایان نامه، ماده دوبعدی GaSeCl تک لایه تحت اعمال کرنش مورد بررسی قرار می‌گیرد. این نوع ماده دارای ساختار بلوری دو بعدی است که تنها از یک لایه اتمی تشکیل شده است. خواص الکترونیکی این ماده، از جمله خواص الکتریکی و نوری آن، به‌طورگسترده مورد مطالعه قرار گرفته است. اعمال تنش که می تواند به صورت کششی یا فشاری باشد، می‌تواند تأثیر زیادی بر خواص الکترونیکی آن داشته باشد. در این پژوهش خواص الکترونیکی ماده GaSeCl از جمله ساختار باند الکترونیکی، شکاف انرژی و جرم موثر، تحت تأثیر تنش کششی و فشاری با استفاده از اصول اولیه و با کمک نرم افزار سیستا بررسی شده است.
