این کار به بررسی خواص الکترونیکی ماده دوبعدی و دولایه GaSeCl تحت تأثیر تنش می پردازد. هدف اصلی این تحقیق، بررسی تأثیر اعمال تنش کششی و فشاری بر خواص الکترونیکی این ماده است که توسط روش تئوری تابع چگالی صورت می پذیرد. ساختار های مختلف دولایه این ماده مورد بررسی قرار گرفته و ساختار پایدار توسط مقایسه انرژی آنها تعیین می گردد. تنش اعمال شده به صورت دو محوه خواهد بود. نتایج نشان می دهد که تنش ها به طور قابل توجهی بر خواص الکترونیکی این ماده تأثیر می گذارند و باعث تغییرات ثابت شبکه، ساختار باند، شکاف انرژی و جرم مؤثر می شوند. گاف انرژی بدون اعمال تنش مستقیم است که اعمال تنش کششی مقدار آن را کاهش داده و شکاف غیر مستقیم ایجاد می گردد. این کار می توانند به درک بهتری از رفتار الکترونیکی GaSeCl تحت تأثیر تنش کمک کنند و در توسعه فناوری های الکترونیکی بر پایه مواد دوبعدی مفید باشد.
