اخیرا خواص حرارتی نانوساختارهای نیمرسانا و ابرشبکه هاتوجه زیادی را به دلائل زیر به خود معطوف کرده است. اولا کاهش پیوسته ابعاد مدارها و افزاره های میکروالکترونیک که باعث افزایشی در توان اتلافی در واحد سطح تراشه ی نیمه هادی می شود. در نتیجه تاثیر آثار اندازه روی رسانش گرمایی برای طراحی افزاره و قابلیت اعتماد به آن بسیار حائز اهمیت خواهد بود. ثانیا طراحی و ساخت دستگاه های دو بعدی چاه کوانتومی نیمه هادی ناهمگون منجر به کاهش رسانش گرمایی و بهبود کارائی ترموالکتریکی آنها می‌شود. در این کار پژوهشی خواص گرمایی یک ساختار دوبعدی نیمه هادی مانند چاه کوانتومیSi و Ge با لحاظ نرخ واهلش فونون در فرآیندهای پراکندگی واگرد، پراکندگی مرزی و پراکندگی اختلاف جرم را بررسی کرده و رسانش گرمایی را محاسبه و رسم کردیم. مشاهده گردید که هدایت حرارتی می تواند با تنظیم ضخامت لایۀ جداگر تعدیل شود. همچنین نتایج محاسبات نشان می دهد که هدایت حرارتی چاه کوانتومی نمونه در حدود یک مرتبه کمتر از انبوهۀ مشابه اش است. نتایج ما با داده های نظری و تجربی اخیر توافق دارد.
