نیاز به افزاره های عمل کننده در دمای اتاق و آشکارسازهای تابش در محدوده تراهرتز (THz2-10/0) وجود دارد. این نیاز توسط پیشرفت سریع علوم و فناوری های تراهرتز در گستره ای از نجوم تا زیست امنیتی ایجاد می شود. با توسعه برآرائی پرتو مولکولی (MBE) کنترل شده توسط رایانه، رشد ابرشبکه های نیمه رسانا از مرتبه یA^° 102 امکان پذیر است. این ثابت شبکه بزرگ و در نتیجه آن تقسیم نوارها به گاف های کوچک این امکان را فراهم کرده تا رفتارهای غیراهمی میدان بالا مشاهده شود. این اثر می تواند به برهم کنش الکترون ها با فونون های نوری یا به پاشندگی بین دره ای مانند اثر گان مرتبط باشد. اثر رسانندگی دیفرانسیلی منفی (NDC) از تعداد زیادی الکترون در نزدیک لبه مرزی گاف کوچک ناشی می شود. با نزدیک شدن الکترون ها به لبه گاف کوچک سرعت آن ها کاهش می یابد و این کاهش سرعت موجب اثر NDC)) می-شود. در این پایان نامه اثر رسانندگی دیفرانسیلی منفی در ابر شبکه های نیمه رسانا مورد مطالعه قرار گرفته است. بدین منظور نحوه ساخت و کاربردها و ویژگی های نیمه رساناها و ابرشبکه ها از قبیل گالیوم آرسناید به عنوان یک ابرشبکه نیمه رسانا مورد مطالعه قرار گرفت. رفتار رسانندگی منفی برای پتانسیل های مختلف دیواره، سهموی و سینوسی در فرکانس های مختلف مورد تحلیل و بررسی قرار گرفت. در این راستا نوسان های بلاخ برای دو مدل ریز نوار سهموی و سینوسی با یکدیگر مقایسه شدند.
