آشکارسازهای نوری برای طیف های فروسرخ دور (FIR) و تراهرتز (THz) به طور متعارف از نیم رساناهای گاف باریک و ساختارهای چاه کوانتومی ساخته می شوند. عملکرد این آشکارسازها بر اساس ساختارهای چاه کوانتومی با گذارهای درون نواری (بین نواری) الکترون یا حفره همراه است. امروزه با استفاده از ترانزیستور اثر میدان نانونوار گرافنی، آشکارسازهایی مؤثر در محدوده FIR و THz طیف نوری طراحی و ساخته می شود. توانایی تغییر گاف انرژی نانو نوار گرافنی با تغییر عرض نانو نوار به ساخت آشکارسازهای نوری چند رنگ کمک کرده است. در این پایان نامه عملکرد یک فوتوترانزیستور نانونوار نیم رسانای گرافنی، مطالعه و بررسی می شود. هم چنین، بعضی مشخصات آن مانند جریان فوتونی، جریان تاریک و پاسخ دهی آن را محاسبه و رسم کرده ایم. بازده کوانتومی، پاسخ دهی و جریان نوری این آشکارسازها مقادیر بالاتری از آشکارسازهای سنتی نظیرشان را نشان می دهند.
