چکیده: پیشرفت های چشمگیر اخیر در تکنولوژی نیمرساناها، به عنوان مثال، توسعه برآرایی پرتومولکولی، امکان تولید ساختارهای چاه کوانتومی را که در آن ها الکترون ها محدود به حرکت در یک یا دو بعد شده اند، فراهم ساخته است. حرکت الکترون ها در چنین ساختارهای نیمرسانا محدود شده، منجر به آثار کوانتش اندازه شده است. در این پژوهش، تحرک محدود توسط پراکندگی ناخالصی یونیده یا توزیع یکنواخت ناخالصی دور برای یک دستگاه نیمه هادی یک بعدی مانند نانوسیم گالیوم آرسناید و ایندیوم آرسناید نوع n مورد بررسی قرار داده که ابتدا محاسبه و سپس رسم کرده ایم. اثر پارامترهای فیزیکی مربوطه متفاوت از قبیل دما، شعاع و چگالی ناخالصی بر روی تحرک پذیری بررسی شده است. نتایج عددی نشان می دهد که تحرک محدود به دلیل پراکندگی ناخالصی پس زمینه با افزایش دما، یکنواخت و به آرامی افزایش می یابد، در حالی که تحرک محدود به دلیل پراکندگی ناخالصی های دور به سرعت با دما افزایش می یابد و برای نانو سیم InAs به شعاع nm8 برابر cm2/Vs 104 است. همچنین نشان داده شده است که تحرک برای هر دو ناخالصی با افزایش شعاع سیم کاهش می یابد و با افزایش چگالی تحرک افزایش می یابد. نتایج به دست آمده در این پژوهش با داده های تجربی و نظری اخیر مطابقت دارد.
