داده های تجربی نشان می دهند که عمدتا در سیستم های نیمه هادی دو بعدی کم تراکم با تحرک بالا، مقاومت ویژه فلزی دارای ناهنجاری می باشند. در دماهای پایین TF ≤ T جایی که TF=EF/kT فرمی است سازوکار اصلی پراکندگی در مقاومت ویژه به علت بی نظمی ناخالصی ناشی از ناخالصی های ناخواسته زمینه و یا آلایشگرهای خواسته در لایه مدوله آلاییده می باشد. در این پژوهش، به مطالعه ی پراکندگی حامل⁃فونون و حامل⁃ناخالصی در یک دستگاه نیمه هادی دو بعدی پرداخته شده است. وابستگی دمایی ویژگی های مواد دو بعدی سیستم های GaAs با درنظر گرفتن اثرات پراکندگی فونون⁃آکوستیکی و پراکندگی ناخالصی بررسی شده و در محدوده دمایی (100K ≤ T ≤ 3) مقدار تحرک و مقاومت ویژه برای مقدارهای مختلف پتانسیل تغییر شکل D و چگالی حامل های دو بعدی n محاسبه و رسم شده است که این پدیده ها به دما وابسته هستند. همچنین، مقدار تحرک و مقاومت ویژه نیز مطالعه شده است. نشان داده ایم که تحرک حامل ها عمدتا توسط پراکندگی ناخالصی و پراکندگی فونون محدود می شود.
