در این کار پژوهشی خواص گرمایی یک ساختار دوبعدی نیمه هادی مانند چاه کوانتومیSi با لحاظ نرخ واهلش فونون در فرآیندهای پراکندگی سه-فونونی واگرد، پراکندگی مرزی و پراکندگی ناخالصی را بررسی کرده ورابطۀ پاشندگی مدهای برشی بر حسب بردار موج و رسانندگی گرمایی برحسب دما را در ساختار چاه کوانتومی سیلیکون و انبوهۀ متناظر محاسبه و رسم کرده ایم. نشان داده ایم که رسانندگی گرمایی شبکه در ساختار چاه کوانتومی نسبت به انبوهۀ متناظر پایین تر بوده و در توافق با داده های چاپ شدۀ اخیر است.
