در این مقاله، می خواهیم پراکندگی غالب و محدود کننده تحرک در یک دستگاه نیمه هادی یک بعدی مانند نانوسیم گالیوم آرسناید را مطالعه کنیم. ابتدا برهمکنش الکترون فونون را در یک دستگاه نیمه هادی یک بعدی توصیف و سپس با استفاده از تابع موج صفحه ای بعضی از پراکندگی ها در این دستگاه برحسب کمیت هایی نظیر چگالی حامل های یک بعدی و دما مورد بررسی قرار می دهیم. این پراکندگی ها شامل پراکندگی فونونی نظیر پراکندگی فونون های اکوستیکی از طریق جفت شدگی پتانسیل تغییر شکل، پراکندگی فونون-های اکوستیکی از طریق جفت شدگی پیزوالکتریک و پراکندگی فونون های اپتیکی قطبی بوده که ابتدا محاسبه و سپس رسم کرده ایم. همچنین نشان داده ایم که پراکندگی محدود کننده تحرک حامل ها در گستره ی دماهای پایین و بالا به ترتیب، پراکندگی فونون اکوستیکی پتانسیل تغییر شکل و پراکندگی فونون اپتیکی طولی قطبی می باشد. با افزایش چگالی خطی حامل و شعاع نانوسیم تحرک حامل ها به ازای یک دمای معین افزایش می یابد. پراکندگی غالب در گستره دمایی (K300 -4) پتانسیل تغییر شکل بوده و مستقل از چگالی خطی و شعاع نانوسیم است. برای شعاع و چگالی خطی بالای نانوسیم پراکندگی غالب در گستره دمایی (K500-300) پراکندگی فونون اپتیکی قطبی می باشد.
