اخیرا خواص حرارتی نانوساختارهای نیمرسانا و ابرشبکه هاتوجه زیادی را به دلائل زیر به خود معطوف کرده است. اولا کاهش پیوسته ی ابعاد مدارها و افزاره های میکرو الکترونیک که باعث افزایشی در توان اتلافی در واحد سطح تراشه ی نیمه هادی می شود. در نتیجه تاثیر آثار اندازه روی رسانش گرمایی برای طراحی افزاره و قابلیت اعتماد به آن بسیار حائز اهمیت خواهد بود. ثانیا ساخت مواد ترموالکتریک که به صورت ساختار های جدید کوچک اتومی پدیدار شدند. به هرحال کاهش رسانش گرمایی منجر به بهبود کارائی افزاره های ترموالکتریک می شود. در این کار پژوهشی خواص گرمایی یک ساختار دوبعدی نیمه هادی مانند چاه کوانتومی Si یا Ge با لحاظ نرخ واهلش فونون در فرآیندهای پراکندگی واگرد، پراکندگی مرزی و پراکندگی اختلاف جرم را بررسی کرده و رسانش گرمایی را محاسبه و رسم کردیم. نشان داده ایم که هدایت حرارتی می تواند با تنظیم ضخامت لایه ی جداگر تعدیل شود. همچنان دیده شده است که هدایت حرارتی لایه چاه با ضخامت لایه جداگر افزایش می یابد. نتایج حاصل می تواند برای بهبود هدایت حرارتی در نانوساختارها استفاده شود.
