ساختارهای یک بعدی مانند سیم های کوانتومی به دلیل خواص فیزیکی شان و نیز پتانسیل آن ها در کاربرد افزاره ها، توجه زیادی به خود جلب کرده اند. با پیشرفت تکنولوژی برآرایی پرتو مولکولی نیمرسانا موضوع ساخت ساختارهای چاه کوانتومی که در آن الکترون محدود به حرکت در یک یا دو بعد شده اند را ممکن ساخته است. حرکت الکترون ها در چنین ساختارهای نیمرسانا محدود شده، منجر به آثار کوانتش اندازه شده است. در این پژوهش، تحرک محدود توسط پراکندگی ناخالصی یونیزه شده یا توزیع یکنواخت ناخالصی از راه دور برای یک دستگاه نیمرسانا یک بعدی مانند نانوسیم گالیوم آرسناید، ایندیم فسفات و ایندیم آرسناید نوع n مورد بررسی قرار داده که ابتدا محاسبه و سپس رسم کرده ایم. اثر پارامترهای فیزیکی مربوطه متفاوت از قبیل دما، شعاع و چگالی ناخالصی بر روی تحرک پذیری بررسی شده است. در محاسبه تحرک سیم های نیمرسانای باریک، باید ساختار ترازهای الکترون ها در مواد نیمرسانا شناخته شده باشد. بنابراین تراز انرژی غیر سهمی الکترون ها در نیمرسانا سبب تغییر پدیده های فیزیکی در ساختارهای نیمرسانا با ابعاد کمتر (تک بعدی یا دو بعدی) خواهد شد. نتایج عددی نشان می دهد که تحرک محدود به دلیل پراکندگی ناخالصی پس زمینه با افزایش دما، یکنواخت و به آرامی افزایش می یابد، در حالی که تحرک محدود به دلیل پراکندگی از ناخالصی های از راه دور به سرعت با دما افزایش می یابد. همچنین نشان داده شده است که تحرک برای هر دو ناخالصی با افزایش شعاع سیم کاهش می یابد و با افزایش چگالی تحرک افزایش می یابد.
