چکیده: در این پایان نامه هدف مطالعه تحرک حامل ها در یک دستگاه نانونوار شبه تک بعدی گرافنی می باشد. با توجه به ساختار نواری گرافن ساختار نواری نانو نوار گرافن را رسم و تاثیر لبه و عرض نانو نوار را در رسانا و نیمه رسانا بودن آن مشاهده کرده ایم و با لحاظ ساختار نواری سهمی شکل در نزدیکی نقطه دیراک به بررسی خواص ترابردی نانو نوار پرداخته ایم. رسانایی، پارامتر مهمی که ویژگی ترابرد الکترون را تعریف می کند، برای دستگاه نانونوار گرافن محاسبه شده و مشاهده می-گردد که کمترین رسانایی در نقطه دیراک که ولتاژ گیت با ولتاژ آستانه برابر است، رخ می دهد و کاهش دما و عرض نانو نوار موجب کاهش رسانایی می گردد. مدل تحلیلی تحرک با استفاده از رویکرد رسانایی و مدل درود توسعه یافته است. همچنین تحرک محاسبه شده و مشاهده می گردد که کاهش طول و عرض نانونوار، باعث کاهش تحرک می شود. همچنین بیشترین تحرک در نقطه دیراک یا نقطه بدون بار، رخ می دهد. با توجه به رسانایی و تحرک بالای مشاهده شده حامل ها برای نانونوار گرافن و همچنین داشتن خاصیت فلزی و نیمه فلزی، نانونوارگرافن می تواند به عنوان ماده کانال در ترانزیستورهای اثر میدان و اتصالات در مدارهای یکپارچه مورد استفاده قرار گیرد و نوید دهنده ی ترانزیستور هایی با سرعت بالا در آینده می شود.
