چکیده: در این پایان نامه، هدف از مطالعه پراکندگی غالب و محدود کننده تحرک در یک دستگاه نیمه هادی یک بعدی مانند نانوسیم گالیوم آرسناید می باشد. این پراکندگی ها شامل پراکندگی فونونی نظیر پراکندگی فونون های اکوستیکی از طریق جفت شدگی پتانسیل تغییر شکل، پراکندگی فونون های اکوستیکی از طریق جفت شدگی پیزوالکتریک و پراکندگی فونون های اپتیکی قطبی بوده که ابتدا محاسبه و سپس رسم کرده ایم. پراکندگی غالب در دمای اتاق در یک نیمه هادی کپه ای (سه بعدی) با توجه به نوع آن پراکندگی فونون اپتیکی قطبی و غیرقطبی به ترتیب در نیمه هادی های مرکب و در نیمه هادی هایی نظیر Si و Ge می باشد. درحالی که در دمای پایین (K4) حتی در نیمه هادی کپه ای با خلوص بالا فرآیند غالب، پراکندگی ناخالصی یونیده می باشد، در نیمه هادی دوبعدی جایی که الکترون ها در صفحه ای که ضخامتش از مرتبه ی 100 آنگستروم است، مسئله متفاوت می باشد. در اینجا می توان با استفاده از آلایش مدوله شده ناخالصی های دهنده را در خارج از این صفحه قرار داد به طوری که حداقل در دماهای پایین بتوان تحرک فونون ها را افزایش داد. نشان داده ایم که در دماهای پایین بر خلاف نیمه هادی های کپه ای نمی توان از پراکندگی فونون های (اکوستیکی) در نیمه هادی های یک بعدی چشم پوشی کرد. در نیمه هادی های دوبعدی نیز مسئله شبیه نیمرسانا های یک بعدی است.
