چکیده: در این پایان نامه رسانندگی گرمایی را در دستگاههای یک بعدی ، شامل نانوسیم های نیم رسانا با جنس سیلیسیوم و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم کرده ایم. روشی که در پیش گرفته شده است حل معادله بولتزمن برای پراکندگی فونونی می باشد. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد ، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیسیومی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشان می دهد. رسانندگی با افزایش قطر نانوسیم افزایش می یابد. دو مدل متفاوت برای رسانندگی در این پایان نامه مورد بررسی قرار گرفته اند. مدل اول حل معادله بولتزمن و یافتن جواب ها با تقریب زمان واهلش است و دیگری حل خود سازگار معادله بولتزمن می باشد. جوابها در این دو حل با هم تلفیق شده اند.. نتایج بدست آمده نشان می دهند که رسانندگی گرمایی در نانو سیم های نیم رسانا کمتر از مقادیر نظیرشان در دستگاههای حجیم است ، نیز نشان داده ایم که رسانندگی گرمایی نانوسیم گالیوم آرسنیک از مقدار مشابه آن در نانوسیم سیلیسیوم کمتر است .
