چکیده در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دیالکتریک گاز الکترونی نانوسیمهای نیمرسانای InAs و ZnO پوشیده شده با یک محیط دیالکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان دادهایم هنگامی که این نانوسیمها با محیطی با ثابت دیالکتریک بالا )بزرگتر از ثابت دیالکتریک نانوسیم نیمرسانا ( پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش مییابد. در حالی که در محیطی با ثابت دیالکتریک کوچک )کوچکتر از ثابت دیالکتریک نیمرسانا( قدرت تابع دیالکتریک افزایش مییابد. همچنین رفتار تابع دیالکتریک برحسب تغییرات شعاع، چگالی حامل نانوسیم و 4 کلوین مورد پژوهش قرار دادهایم.
