چکیده ﻫﺪف اﺻﻠﯽ دراﯾﻦ رﺳﺎﻟﻪ ﺑﺮرﺳﯽ دﯾﻨﺎﻣﯿﮏ ﺷﺒﮑﻪ و اﺛﺮ آن ﺑﺮﺧﻮاص ﻓﯿﺰﯾﮑﯽ ﺟﺎﻣﺪات ﻧﯿﻤﺮﺳﺎﻧﺎ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ. اﯾﻦ واﻗﻌﯿﺖ ﺑﻪ ﺧﻮﺑﯽ ﺷﻨﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ ﮐﻪ ارﺗﻌﺎﺷﺎت ﺷﺒﮑﻪ ﯾﺎ ﻓﻮﻧﻮن ﻫﺎ ﺗﻘﺎرن ﻧﯿﻤﺮﺳﺎﻧﺎ را ﮐﻢ ﮐﺮده وﻋﻤﻼ در ﻧﯿﻤﺮﺳﺎﻧﺎﻫﺎ ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﺑﺮاﻧﮕﯿﺨﺘﮕﯽﻫﺎی ﺧﻮش رﻓﺘﺎرﻣﻄﺮح ﻧﻤﯽ ﺷﻮﻧﺪ. ﺑﻪ ﻫﻤﯿﻦ دﻟﯿﻞ ﻣﺤﺎﺳﺒﺎت ﻓﻮﻧﻮﻧﯽ ﺑﺴﯿﺎر ﭘﯿﭽﯿﺪه وزﻣﺎن ﺑﺮواﻟﺒﺘﻪ اﺟﺘﻨﺎب ﻧﺎﭘﺬﯾﺮﻫﺴﺘﻨﺪ. دراﯾﻦ راﺳﺘﺎ ﺗﻼشﮐﺮده اﯾﻢ ﺗﺎروش ﻫﺎی ﻧﻮﯾﻨﯽ ﺑﺮای اﻧﺠﺎم ﻣﺤﺎﺳﺒﺎت ﻓﻮﻧﻮﻧﯽ اراﺋﻪ دﻫﯿﻢ ﺗﺎ ﺑﺎ ﮐﻤﺘﺮﯾﻦ ﺣﺠﻢ ﻣﺤﺎﺳﺒﺎت، دﻗﯿﻖ ﺗﺮﯾﻦ ﻧﺘﺎﯾﺞ را ﺑﻪ دﺳﺖ آورﯾﻢ. درراﺳﺘﺎی اﯾﻦ اﻫﺪاف، درﻗﺪم اول ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از روش DFPT@G.W درﺗﻘﺮﯾﺐ ﻓﻮﻧﻮن ﯾﺦ زده، دﯾﻨﺎﻣﯿﮏ ﺷﺒﮑﻪ ی زﯾﺮﮐﻮﻧﯿﺎ 2ZrO ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻧﯿﻤﺮﺳﺎﻧﺎﯾﯽ ﺑﺎﮔﺎف ﻧﻮاری ﺑﺰرگ را ﺑﺮرﺳﯽ ﮐﺮده اﯾﻢ. درواﻗﻊ ﺑﺮرﺳﯽ ﺑﺮﻫﻤﮑﻨﺶ اﻟﮑﺘﺮون-ﻓﻮﻧﻮن ﺑﻪ ﻃﻮرﻏﯿﺮﻣﺴﺘﻘﯿﻢ و ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده ازﺑﺮﻫﻤﮑﻨﺶ اﻟﮑﺘﺮون-اﻟﮑﺘﺮون ﺑﺎواﺳﻄﻪ ی ﯾﮏ ﻓﻮﻧﻮن، اﯾﺪه ی ﻧﻮﯾﻨﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ درﻣﺤﺎﺳﺒﺎت ﻓﻮﻧﻮﻧﯽ ﻣﺎ اﻋﻤﺎل ﺷﺪه ﺗﺎ ﺣﺠﻢ وزﻣﺎن ﻣﺤﺎﺳﺒﺎت ﮐﺎﻫﺶ ﯾﺎﺑﻨﺪ. ﻧﺘﺎﯾﺞ ﺑﺪﺳﺖآﻣﺪه ﻧﺸﺎن ﻣﯽ دﻫﻨﺪ ﮐﻪ در2ZrO ﻧﻘﺶ ﻓﻮﻧﻮن ﻫﺎی ﻧﻮری درﺟﻔﺖﺷﺪﮔﯽ اﻟﮑﺘﺮون-ﻓﻮﻧﻮن ازاﻫﻤﯿﺖ ﻓﺮاواﻧﯽ ﺑﺮﺧﻮرداراﺳﺖ وﻣﻨﺸﺎ ﭘﯿﺪاﯾﺶ ﺧﻮاص ﺟﺎﻟﺒﯽ درزﯾﺮﮐﻮﻧﯿﺎ ﻣﯽ ﺷﻮد. ازﺳﻮی دﯾﮕﺮ، ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده ازروش DFPT آﺛﺎر ﻧﺎﻫﻤﺎﻫﻨﮓ فونونی را ﺑﺎ اﻋﻤﺎل ﻣﯿﺪان اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ دردو ﻧﯿﻤﺮﺳﺎﻧﺎی ﺗﺘﺮاﻫﺪرال ﮐﺮﺑﻦ وﺳﯿﻠﯿﮑﻮن ﺑﺮرﺳﯽﮐﺮده اﯾﻢ. ﺑﺮﺧﻼف روش ﻫﺎی ﻣﻌﻤﻮل ﮐﻪ ﻋﻤﺪﺗﺎ از ﺗﻐﯿﯿﺮﺣﺠﻢ ﺑﻠﻮر ﺑﺎ اﻋﻤﺎل ﻓﺸﺎرﻫﯿﺪرواﺳﺘﺎﺗﯿﮑﯽ ﺑﺮای اﻧﺪازهﮔﯿﺮی آﺛﺎرﻧﺎﻫﻤﺎﻫﻨﮓ وﺷﺒﻪ ﻫﻤﺎﻫﻨﮓ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﯽ ﺷﻮد، روش ﭘﯿﺸﻨﻬﺎدی ﻣﺎ ﺑﺮﻣﺒﻨﺎی اﻋﻤﺎل ﻣﯿﺪان اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ ﯾﮑﻨﻮاﺧﺖ درﯾﮏ ﺟﻬﺖ ﻣﺸﺨﺺ و ﺑﺮرﺳﯽ ﭘﺎﺳﺦ اﺑﺮاﻟﮑﺘﺮوﻧﯽ ﺑﻪاﯾﻦ اﺧﺘﻼل، ﺑﻨﺎ ﺷﺪه اﺳﺖ. دراﯾﻦ روش ﻧﻮﯾﻦ، ﺧﻮاص ﻓﯿﺰﯾﮑﯽ اﯾﻦ دوﻧﯿﻤﺮﺳﺎﻧﺎ درﺣﻀﻮر ﺑﺮﻫﻤﮑﻨﺶ اﻟﮑﺘﺮون-ﻓﻮﻧﻮن ﺑﻪ ﻃﻮرﻣﺴﺘﻘﯿﻢ و درﺣﻀﻮر ﺑﺮﻫﻤﮑﻨﺶ ﻓﻮﻧﻮن-ﻓﻮﻧﻮن ﺑﻪ ﺷﮑﻞ ﻏﯿﺮ ﻣﺴﺘﻘﯿﻢ اﻧﺪازهﮔﯿﺮی ﺷﺪه اﻧﺪ. ﻧﺘﺎﯾﺞ ﻣﺤﺎﺳﺒﺎت ﻣﺎ ﻧﺸﺎن ﻣﯽ دﻫﻨﺪ ﮐﻪ ﻋﻠﯿﺮﻏﻢ اﯾﻨﮑﻪ ﻣﺎ از ﺗﻘﺮﯾﺐ ﺷﺒﻪ ﻫﻤﺎﻫﻨﮓ اﺳﺘﻔﺎده ﻧﮑﺮده اﯾﻢ، ﻧﺘﺎﯾﺞ ﺑﺪﺳﺖآﻣﺪه ﻫﻤﺨﻮاﻧﯽ ﺑﺴﯿﺎرﺧﻮﺑﯽ ﺑﺎﻣﻄﺎﻟﻌﺎت ﻧﻈﺮی وﺗﺠﺮﺑﯽ ﻗﺒﻠﯽ داﺷﺘﻪ واﯾﻦ روش ﻣﯽ ﺗﻮاﻧﺪ ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﻌﯿﺎرﻣﻨﺎﺳﺐ وﻣﺆﺛﺮی ﺑﺮای اﻧﺪازه ﮔﯿﺮی آﺛﺎرﻧﺎﻫﻤﺎﻫﻨﮓ ﻓﻮﻧﻮﻧﯽ ﻣﻌﺮﻓﯽ ﺷﻮد.
