در این پایان نامه با استفاده از یک مدل خود سازگار، تابع استتار گاز الکترونی نانوسیم های نیمرسانا InAs وZnO پوشیده شده با محیط دی الکتریک هوا، ,HfO2 ,SiO2 TiO2را محاسبه کرده ایم. نشان می دهیم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی باثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیمرسانا) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی با ثابت دی الکتریک کوچک (کوچکتر از ثابت دی الکتریک نیمرسانا) قدرت تابع استتار افزایش می یابد. هم چنین رفتار تابع استتار بر حسب تغییرات شعاع، چگالی حامل نانوسیم و دی الکتریک محیط در دمای هلیوم مایع و در گستره دمای 300-4 کلوین مورد پژوهش قرار داده ایم. همچنین نشان داده ایم افزایش دما قدرت استتار را کاهـش می دهد ولی این تغییر در نانوسیم هایی که با محیطی با ثابت دی-الکتریک بالا پوشانده شده اند کمتر است. پوشش یک نانوسیم نازک بامحیط دی الکتریکی با ثابت دی الکتریک بالا پراکندگی کولنی را کاهش داده در نتیجه باعث افزایش تحرک الکترونها در دماهای معین درون نانوسیـم می شود.
