در این مقاله پتانسیل الکتریکی و مشخصات جریان-ولتاژ یک ترانزیستور اثرمیدان نانونواری گرافینی بر اساس ساختاری که شامل آرایه ای از نانونوارهای پوشیده شده بین دروازه پایینی و دروازه بالایی است مورد مطالعه قراداده ایم. ما با لحاظ معادله پواسون در یک تقریب غیر موضعی ضعیف ابتدا توزیع فضایی پتانسیل الکتریکی و سپس مشخصات جریان-ولتاژ در امتداد طول کانال یک ترانزیستور نانونواری گرافینی به طول کانال 300nm را محاسبه و رسم نموده ایم.
