در این پژوهش لایه های نازک اکسید ایندیوم آلاییده با قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی بستره-های شیشه ای تمییز شده با ضخامت های مختلف در دمای اتاق تهیه شدند. سپس یکی از لایه ها در دماهای متفاوت در مجاورت هوا به مدت یک ساعت بازپخت شد. با استفاده از طیف سنج نوری طیف های نوری تراگسیل و جذب لایه ها ثبت شد و خواص اپتیکی آن ها مورد تحلیل قرار گرفت. ویژگی های فازی لایه ها به وسیله ی پراش اشعه ی ایکس (XRD) مورد بررسی قرار گرفت. همچنین تحلیل مورفولوژی سطحی لایه ها توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) انجام پذیرفت. همچنین ویژگی های الکتریکی لایه های نازک ITO با استفاده از نتایج آنالیز گمانه چهارنقطه ای مورد بررسی قرارگرفت. اندازه گیری های طیف سنجی شفافیت بالای 80% را در ناحیه ی مرئی نشان می دهد. همچنین ثابت های اپتیکی لایه ها با استفاده از روش کرامرز-کرونینگ محاسبه شد. نتایج حاصل از XRD ساختار بلوری بعد از بازپخت و ساختار بی شکل قبل از آن را تأیید می کند. با بهره گیری از نتایج آزمون XRD کمیت هایی نظیر اندازه دانه، ثابت شبکه و همچنین ضریب بافت لایه های نازک ITO محاسبه شد. تصاویر SEM حاوی اطلاعاتی نظیر اندازه دانه ها، نمایی از مرزدانه ها و ناهمواری بود. با استفاده از نتایج AFM علاوه بر مطالعه ی مورفولوژی سطحی لایه ها، مطالعه ی آماری و تحلیل فرکتالی بر روی لایه ها صورت پذیرفت. بررسی خواص الکتریکی لایه ها نشان داد با افزایش ضخامت لایه ها هر چند تراگسیل کاهش می یابد اما رسانندگی لایه ها افزایش می یابد. همچنین منحنی های بازتابندگی و تراگسیلندگی لایه ها در دو مد TE و TM از طریق فرآیند آزمایشگاهی بدست آمد و با استفاده از معادلات فرنل که تعبیری از نسبت دامنه های بازتابی به فرودی پرتو نورمی باشند، در مد TM ضریب شکست لایه های نازکITO در طول موج لیزر هلیوم نئون (nm 632 ) محاسبه شد.
