در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی واکنش پذیر بر روی زیرلایه های شیشه ای لایه نشانی شده اند. لایه های نمونه با ضخامت های اسمی 100، 150و 250 نانومتر با نرخ انباشت ثابتnm/s 10/0 تهیه شدند. دمای زیر لایه ها در خلال لایه نشانی در دمای اتاق نگه داشته شد. با استفاده از روش بیضی سنجی ثابت های اپتیکی، ضریب شکست(n)، ضریب خاموشی (k) در گستره طول موج 370 تا 1050 اندازه گیری شد. درصد عبور و بازتاب بر حسب طول موج با استفاده از طیف سنج مرئی فرابنفش (UV-VIS) اندازه گیری شد. با استفاده از روش کرامرز کرونیگ ثابت های اپتیکی اندازه گیری شد و با نتایج حاصل از بیضی سنجی مقایسه شد.
