داود رئوفی

در این پروژه نانوسیم های فلزی Bi و Tl و نانوسیم های بس لایه ای Bi/Tl درون حفره های قالب پلی کربنات با قطر nm100 به روش رسوب گذاری الکتروشیمیایی تهیه شدند. رسوب گذاری الکتروشیمیایی به صورت پتانسیواستات و با استفاده از سیستم سه الکترودی انجام شد. رشد نانوسیم های Bi ، Tl و نانوسیم های بس لایه ای Bi/Tl، به ترتیب با استفاده از الکترولیتی حاوی نمک Bi، نمک Tl و سیستم دو حمامی حاوی نمک های Bi و Tl انجام گردید. پتانسیل بهینه اعمالی جهت رشد نانوسیم های Bi و Tl به ترتیب V1/0- وV8/0- مورد استفاده قرار گرفت. نمودار جریان - زمان رشد دو مرحله ای نانوسیم ها شامل جوانه زنی در انتهای حفره ها و شروع رشد نانوسیم ها درون حفره ها را بر روی قالب پلی کربنات بیان می کند. همچنین نانوسیم ها با استفاده از طیف پراش اشعه ی ایکس (XRD)، میکروسکوپ های الکترونی روبشی (SEM) و عبوری (TEM)، انرژی پراکنده شده اشعه ی ایکس (EDX)، پس پراکندگی رادرفورد (RBS) و انتشار اشعه ی ایکس القایی (PIXE) مورد مطالعه و بررسی قرار گرفتند. طیف XRD نشان داد که ساختار کریستالی نانوسیم بیسموت، ساختار رمبوهدرال است و نانوسیم تالیم، دارای ساختار هگزاگونال می باشد. با توجه به تصاویر TEM، قطر میانگین نانوسیم ها تعیین شد. طول نانوسیم ها توسط آنالیز RBS و غلظت عناصر و درصد وزنی آنها توسط آنالیز PIXE مشخص شد.