در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی واکنش پذیر بر روی زیرلایه های شیشه ای لایه نشانی شده اند. لایه های نمونه با ضخامت های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر با نرخ انباشت ثابت nm/s 10/0 تهیه شدند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک بازتاب سنجی اشعه ایکس (XRR) با زاویه فرود خراشان، برای مشخصه یابی لایه های نازک ITO استفاده شد. آنالیز داده ها با استفاده از نرم افزارهای MATLAB و GENX و XPOWDER انجام شد که ضخامت های حقیقی و چگالی الکترونی متوسط و ناهمواری سطح لایه ها به دست آمد. همچنین طیف پراش پرتو ایکس (XRD) از لایه ها انجام گرفت و ساختار بلوری لایه ها نیز مورد بررسی قرار گرفت.
