در این پژوهش، لایه های نازک اکسید ایندیوم آلاییده با قلع (ITO) به روش تبخیر با باریکه الکترونی بر روی بستره های شیشه ای در دمای اتاق تهیه شدند. در ادامه، یکی از لایه ها به عنوان مرجع نگه داشته شد و بقیه لایه ها در دماهای oC 200 و oC 300 به مدت یک ساعت پخت شدند. مطالعه ساختاری و مورفولوژیکی لایه های نازک تهیه شده به ترتیب با تکنیک های پراش سنج پرتو-X و میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) انجام شد. روند تکامل ساختار سطح لایه ها در طول فرایندهای انباشت و پخت با روش های ریاضی بررسی گردید. بعد فرکتالی سطوح لایه های نازک ITO با استفاده از روش شمارش-جعبه به صورت تابعی از دمای پخت محاسبه شد. یافته ها نشان داد که پخت لایه ها باعث تغییر در ناهمواری سطح لایه های نازک در طول فرایند پخت می شود.
