داود رئوفی

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیوم آلاییده با قلع (ITO) در ضخامت های مختلف به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی بستره شیشه ای در دمای اتاق تهیه شده است. ضخامت لایه ها 150 ،100 و 250 نانومتر می باشد. با استفاده از تحلیل فرکتالی، فرآیند رشد لایه (افزایش ضخامت) بر خصوصیات مورفولوژیکی سطح در حالت آمورف مورد بررسی قرار گرفت. مشاهده شد که با افزایش ضخامت، ناهمواری سطح (RMS) w و طول همبستگی عرضی ξ کاهش پیدا میکند. همچنین، نمای ناهمواری α و نمای رشد β ، به ترتیب برابر 0.01 ± 0.72 = α و 0.01 ± 0.11 = β ، به دست آمد. بر اساس این نتایج، دریافتیم که فرآیند رشد لایه ها را می توان به صورت ترکیبی از مدل های خطی EW و پخش سطحی مولینز توصیف نمود.