در چند دهه ی گذشته سیلیکون پرکاربردترین نیمه رسانا در میکروالکترونیک ها و فوتوالکترونیک ها به منظور توسعه ی وسایل فوتونیک مدرن بوده است. تابش لیزر بر روی سیلیکون به عنوان یک تکنیک میکروساختاری قوی شناخته شده است . در این پژوهش، کندگی لیزری بر روی ویفر سیلیکون کریستالی در سوسپانسیون اکسید گرافن – (ان- متیل -2 - پیرولیدون) با استفاده از لیزر پالسی Nd:YAG با طول موج 1064 نانومتر و عرض پالس230 نانوثانیه انجام شد. انرژی پالس های بکار برده شده در آزمایش 1 ، 5/1 و2 میلی ژول بودند. سطح ویفر سیلیکون با میکروسکوپ نوری و میکروسکوپ الکترونی روبشی مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج نشان دادند که کندگی سیلیکون در مایع با لیزر پالسی نانوثانیه در اثر فرآیند پرتاب ذرات مذاب از سطح هدف بر اثر فشار القا شده توسط پلاسمای محدود شده یا موج ضربه ی بین سطح هدف و مایع انجام می شود. الگوی پراش اشعه ی ایکس ویفر سیلیکون بعد از کندگی لیزری تشکیل لایه ی 4H-SiC روی سطح سیلیکون را نشان داد. تشکیل این لایه با طیف سنجی فوتوالکترون پرتوی ایکس تایید شد همچنین طیف رامان آشکار کرد که ذرات SiC در فازهای مختلط آمورف و میکروکریستال سیلیکون جایگزیده شده اند. نانوذرات تولید شده در محلول توسط میکروسکوپ الکترونی عبوری و آنالیز پراش اشعه ی ایکس مورد مطالعه قرار گرفتند. قطر میانگین نانوذرات با استفاده از میکروسکوپ الکترونی عبوری حدود9 نانومتر یافته شد و شکل نانو ذرات کروی بود. طیف بازتاب از سطح نمونه ها کاهش در بازتاب را با افزایش انرژی پالس نشان داد.
