هدف ما در این مقاله بررسی تأثیر پارامترهای ترانزیستور CNFET بر عملکرد مدارهای D-Latch توان پایین و سرعت بالا می باشد. از D لچ ها برای طراحی سلول های حافظه که امکان ذخیره سازی یک بیت اطلاعات را دارد استفاده می کنند. ابتدا با استفاده از نرم افزار HSPICE سه نمونه مدار D-latch را در محیط CNFET شبیه سازی نموده سپس بمنظور بررسی و مقایسه عملکرد مدارها در ولتاژهای مختلف، پارامترهای آن از قبیل توان مصرفی، میزان تأخیر و مقدار PDP (حاصلضرب توان در تأخیر) را در فرکانس 100 مگاهرتز بدست می آوریم. در انتها به بررسی تأثیر پارامترهای ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله ی کربنی بر عملکرد مدار D لچ می پردازیم.
