نانوسیم های آهن-کبالت-ایندیوم با قطر 32 نانومتر ساخته شدند. آرایه های نانوسیم آلیاژی آهن-کبالت-ایندیوم با استفاده از الکتروانباشت متناوب درون نانوحفره های قالب اکسید آلومینیوم آندی (AAO) رشد داده شدند. قالب اکسید آلومینیوم آندی با قطر 32 نانومتر و فاصله بین حفره ای 100 نانومتر با استفاده از آندایز دو مرحله ای فویل آلومینیوم و با استفاده از اسید اگزالیک ساخته شد. اثر اضافه کردن ناخالصی ایندیوم بر خواص مغناطیسی نانوسیم های آهن-کبالت بررسی شد. ناخالصی ایندیوم با مقادیر محتلف، با تغییر غلظت یون های ایندیوم در محلول الکتروانباشت به نانوسیم های آهن-کبالت اضافه شد. وادارندگی نانوسیم های آهن-کبالت با اضافه کردن ناخالصی ایندیوم، به عنوان ماده غیر مغناطیسی کاهش یافت. برای نمونه % 5 ایندیوم در نانوسیم، وادارندگی از 1854 اورستد به 801 اورستد کاهش یافت. ساختار بلوری نانوسیم ها به غلظت ایندیوم بستگی داشت. ساختار بلوری از bcc CoFe به آمورف و سپس به ساختار مکعبی ایندیوم تغییر یافت. گسترش وسیع فورک در امتداد محور Hc نشان داد که بازگشت مغناطش در حوزه های مغناطیسی نانوسیم ها مختلف است و برهمکنش بین نانوسیم های همسایه در قالب، کم است. اثر تابکاری بر ساختار و خواص مغناطیسی نانوسیم ها بررسی شد. بررسی برای نانوسیم ها پس از انباشت و پس از تابکاری تا دمای 500 درجه سانتیگراد انجام شد. پس از تابکاری در 500 درجه سانتیگراد، وادارندگی و نسبت مربعی نمونه % 5 ایندیوم، به ترتیب از 1485 و 76/0 به 2445 و 9/0 رسید. وادارندگی در نانوسیم های تابکاری شده با % 6/40 ایندیوم به مقدار % 100 افزایش یافت. اثر فرکانس الکتروانباشت بر خواص مغناطیسی آرایه های نانوسیم بررسی شد. با افزایش فرکانستا 600 هرتز، وادارندگی و نسبت مربعی افزایش سریع داشت اما شیب افزایش به طور آشکار در فرکانس های بالاتر، کاهش یافت. برای بررسی وابستگی زاویه ای خواص مغناطیسی، حلقه های هیسترزیس اصلی و آنالیز فورک با تغییر دادن زاویه بین میدان مغناطیسی اعمالی و محور نانوسیم از 0 درجه تا 90 درجه اندازه گیری شدند. آنالیز فورک برای به دست آوردن برهمکنش های مغناطواستاتیک و توزیع وادارندگی نانوسیم ها انجام شد. اندازه گیری های حلقه هیسترزیس اصلی نشان داد که هر دوی وادارندگی و نسبت مربعی آرایه ها با افزایش زاویه، کاهش می یابند. مقایسه نتایج آنالیز فورک