1404/03/17
امیره نوربخش

امیره نوربخش

مرتبه علمی: استادیار
ارکید:
تحصیلات: دکترای تخصصی
اسکاپوس: 54881835100
دانشکده: دانشکده فنی و مهندسی
نشانی:
تلفن:

مشخصات پژوهش

عنوان
شبیه سازی جریان سه بعدی نانوسیال درخم ها
نوع پژوهش
مقاله ارائه شده کنفرانسی
کلیدواژه‌ها
خم ، جریان مغشوش ، نانوسیال، سرعت، فشار، دما
سال 1396
پژوهشگران امیره نوربخش

چکیده

هدف این مقاله شبیه سازی و حل عددی جریان مغشوش سه بعدی در خم ها با زوایای مختلف بوده است. این شبیه سازی به کمک نرم افزار ANSYS FLUENT انجام شده و در آن پارامتر های سرعت، فشار، دما و انرژی جنبشی توربولانس برای سه نانوسیال با نانوذرات CuO، Al_2 O_3 و Sic و سیال پایۀ آب مورد بررسی قرار گرفته است. برای شبیه سازی اثرات دیواره از تابع دیوار استاندارد و برای رابطۀ بین سرعت و اصلاح فشار از الگوریتم SIMPLEC استفاده شده است. از بررسی کانتورهای سرعت، فشار و دما و همچنین متوسط سرعت، فشار و دما برای مقاطع خروجی خم 90 درجه و صفحه تقارن خم 90 درجه می توان دریافت که مقدار متوسط دما برای نانوسیال CuO بزرگتر از 〖Al〗_2 O_3 و برای 〖Al〗_2 O_3 بزرگتر از Sic است، و بالعکس مقدار متوسط انرژی جنبشی توربولانس برای نانوسیال Sic بیشتر از 〖Al〗_2 O_3 و 〖Al〗_2 O_3 بیشتر از CuO است.